IXKC20N60C دیتاشیت

IXKC20N60C

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت IXKC20N60C
حجم فایل 233.554 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 5

مشاهده دیتاشیت IXKC20N60C

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Manufacturer: IXYS
  • Series: CoolMOS™
  • Packaging: Tube
  • Part Status: Active
  • FET Type: N-Channel
  • Technology: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 600V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 16A, 10V
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400pF @ 25V
  • FET Feature: -
  • Power Dissipation (Max): -
  • Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Mounting Type: Through Hole
  • Supplier Device Package: ISOPLUS220™
  • Package / Case: ISOPLUS220™
  • detail: N-Channel 600V 15A (Tc) Through Hole ISOPLUS220™

محصولات مشابه