IXFR38N80Q2 دیتاشیت

IXFR38N80Q2

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت IXFR38N80Q2
حجم فایل 582.408 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 5

مشاهده دیتاشیت IXFR38N80Q2

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Manufacturer: IXYS
  • Series: HiPerFET™
  • Packaging: Tube
  • Part Status: Active
  • FET Type: N-Channel
  • Technology: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 800V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 19A, 10V
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8340pF @ 25V
  • FET Feature: -
  • Power Dissipation (Max): 416W (Tc)
  • Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Mounting Type: Through Hole
  • Supplier Device Package: ISOPLUS247™
  • Package / Case: ISOPLUS247™
  • detail: N-Channel 800V 28A (Tc) 416W (Tc) Through Hole ISOPLUS247™

محصولات مشابه