MMIX1F180N25T دیتاشیت

MMIX1F180N25T

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت MMIX1F180N25T
حجم فایل 235.782 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 7

مشاهده دیتاشیت MMIX1F180N25T

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

MMIX1F180N25T 8 pages

مشخصات فنی

  • Manufacturer: IXYS
  • Series: GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™
  • Packaging: Tube
  • Part Status: Active
  • FET Type: N-Channel
  • Technology: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 250V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 132A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 90A, 10V
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 364nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23800pF @ 25V
  • FET Feature: -
  • Power Dissipation (Max): 570W (Tc)
  • Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Mounting Type: Surface Mount
  • Supplier Device Package: 24-SMPD
  • Package / Case: 24-PowerSMD, 21 Leads
  • detail: N-Channel 250V 132A (Tc) 570W (Tc) Surface Mount 24-SMPD

محصولات مشابه