IXFR21N100Q دیتاشیت

IXFR21N100Q

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت IXFR21N100Q
حجم فایل 167.021 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 5

مشاهده دیتاشیت IXFR21N100Q

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Manufacturer: IXYS
  • Series: HiPerFET™
  • Packaging: Tube
  • Part Status: Active
  • FET Type: N-Channel
  • Technology: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 10.5A, 10V
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5900pF @ 25V
  • FET Feature: -
  • Power Dissipation (Max): 350W (Tc)
  • Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Mounting Type: Through Hole
  • Supplier Device Package: ISOPLUS247™
  • Package / Case: ISOPLUS247™
  • detail: N-Channel 1000V 18A (Tc) 350W (Tc) Through Hole ISOPLUS247™

محصولات مشابه