IXFR24N100Q3 دیتاشیت

IXFR24N100Q3

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت IXFR24N100Q3
حجم فایل 637.88 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 7

مشاهده دیتاشیت IXFR24N100Q3

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Manufacturer: IXYS
  • Series: HiPerFET™
  • Packaging: Tube
  • Part Status: Active
  • FET Type: N-Channel
  • Technology: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 490mOhm @ 12A, 10V
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 4mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200pF @ 25V
  • FET Feature: -
  • Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
  • Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Mounting Type: Through Hole
  • Supplier Device Package: ISOPLUS247™
  • Package / Case: TO-247-3
  • detail: N-Channel 1000V 18A (Tc) 500W (Tc) Through Hole ISOPLUS247™

محصولات مشابه