IXFX55N50F دیتاشیت

IXF(K,X)55N50F

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت IXF(K,X)55N50F
حجم فایل 149.164 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 4

مشاهده دیتاشیت IXF(K,X)55N50F

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Manufacturer: IXYS
  • Series: HiPerRF™
  • Packaging: Tube
  • Part Status: Obsolete
  • FET Type: N-Channel
  • Technology: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 500V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 27.5A, 10V
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6700pF @ 25V
  • FET Feature: -
  • Power Dissipation (Max): 560W (Tc)
  • Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Mounting Type: Through Hole
  • Supplier Device Package: PLUS247™-3
  • Package / Case: TO-247-3
  • detail: N-Channel 500V 55A (Tc) 560W (Tc) Through Hole PLUS247™-3

محصولات مشابه