IXTP1R4N60P دیتاشیت

IXT(P,U,Y)1R4N60P

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت IXT(P,U,Y)1R4N60P
حجم فایل 155.671 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 4

مشاهده دیتاشیت IXT(P,U,Y)1R4N60P

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Manufacturer: IXYS
  • Series: PolarHV™
  • Packaging: Tube
  • Part Status: Obsolete
  • FET Type: N-Channel
  • Technology: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 600V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9Ohm @ 700mA, 10V
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 25µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140pF @ 25V
  • FET Feature: -
  • Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
  • Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Mounting Type: Through Hole
  • Supplier Device Package: TO-220AB
  • Package / Case: TO-220-3
  • detail: N-Channel 600V 1.4A (Tc) 50W (Tc) Through Hole TO-220AB

محصولات مشابه