IXFV52N30P دیتاشیت

IXF(H,V)52N30P(S)

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت IXF(H,V)52N30P(S)
حجم فایل 193.991 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 6

مشاهده دیتاشیت IXF(H,V)52N30P(S)

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Manufacturer: IXYS
  • Series: PolarHT™ HiPerFET™
  • Packaging: Tube
  • Part Status: Obsolete
  • FET Type: N-Channel
  • Technology: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 300V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 500mA, 10V
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3490pF @ 25V
  • FET Feature: -
  • Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
  • Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Mounting Type: Through Hole
  • Supplier Device Package: PLUS220
  • Package / Case: TO-220-3, Short Tab
  • detail: N-Channel 300V 52A (Tc) 400W (Tc) Through Hole PLUS220

محصولات مشابه