IXFC110N10P دیتاشیت

IXFC110N10P

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت IXFC110N10P
حجم فایل 236.239 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 5

مشاهده دیتاشیت IXFC110N10P

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Manufacturer: IXYS
  • Series: HiPerFET™, PolarHT™
  • Packaging: Tube
  • Part Status: Obsolete
  • FET Type: N-Channel
  • Technology: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 55A, 10V
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3550pF @ 25V
  • FET Feature: -
  • Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
  • Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Mounting Type: Through Hole
  • Supplier Device Package: ISOPLUS220™
  • Package / Case: ISOPLUS220™
  • detail: N-Channel 100V 60A (Tc) 120W (Tc) Through Hole ISOPLUS220™

محصولات مشابه