IXUN350N10 دیتاشیت

IXUN350N10

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت IXUN350N10
حجم فایل 544.703 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 5

مشاهده دیتاشیت IXUN350N10

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Manufacturer: IXYS
  • Series: -
  • Packaging: Tube
  • Part Status: Obsolete
  • FET Type: N-Channel
  • Technology: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 175A, 10V
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 3mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 640nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27000pF @ 25V
  • FET Feature: -
  • Power Dissipation (Max): 830W (Tc)
  • Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Mounting Type: Chassis Mount
  • Supplier Device Package: SOT-227B
  • Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
  • detail: N-Channel 100V 350A (Tc) 830W (Tc) Chassis Mount SOT-227B

محصولات مشابه