IXFV12N80P دیتاشیت

IXF(H,Q,V)12N80P/PS

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت IXF(H,Q,V)12N80P/PS
حجم فایل 176.656 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 5

مشاهده دیتاشیت IXF(H,Q,V)12N80P/PS

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Manufacturer: IXYS
  • Series: HiPerFET™, PolarHT™
  • Packaging: Tube
  • Part Status: Obsolete
  • FET Type: N-Channel
  • Technology: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 800V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 500mA, 10V
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800pF @ 25V
  • FET Feature: -
  • Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
  • Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Mounting Type: Through Hole
  • Supplier Device Package: PLUS220
  • Package / Case: TO-220-3, Short Tab
  • detail: N-Channel 800V 12A (Tc) 360W (Tc) Through Hole PLUS220

محصولات مشابه