IXFN100N10S1 دیتاشیت

IXFN100N10S1/2/3

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت IXFN100N10S1/2/3
حجم فایل 101.711 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 2

مشاهده دیتاشیت IXFN100N10S1/2/3

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Manufacturer: IXYS
  • Series: HiPerFET™
  • Packaging: Tube
  • Part Status: Obsolete
  • FET Type: N-Channel
  • Technology: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 500mA, 10V
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500pF @ 25V
  • FET Feature: -
  • Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
  • Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Mounting Type: Chassis Mount
  • Supplier Device Package: SOT-227B
  • Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
  • detail: N-Channel 100V 100A (Tc) 360W (Tc) Chassis Mount SOT-227B

محصولات مشابه