IXFT6N100Q دیتاشیت

IXF(H,T)6N100Q

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت IXF(H,T)6N100Q
حجم فایل 176.784 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 3

مشاهده دیتاشیت IXF(H,T)6N100Q

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Manufacturer: IXYS
  • Series: HiPerFET™
  • Packaging: Tube
  • Part Status: Obsolete
  • FET Type: N-Channel
  • Technology: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 3A, 10V
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.5mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200pF @ 25V
  • FET Feature: -
  • Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
  • Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Mounting Type: Surface Mount
  • Supplier Device Package: TO-268
  • Package / Case: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
  • detail: N-Channel 1000V 6A (Tc) 180W (Tc) Surface Mount TO-268

محصولات مشابه