IXBX55N300 دیتاشیت

IXB(K,X)55N300

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت IXB(K,X)55N300
حجم فایل 222.49 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 7

مشاهده دیتاشیت IXB(K,X)55N300

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Manufacturer: IXYS
  • Series: BIMOSFET™
  • Packaging: Tube
  • Part Status: Not For New Designs
  • IGBT Type: -
  • Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3000V
  • Current - Collector (Ic) (Max): 130A
  • Current - Collector Pulsed (Icm): 600A
  • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 55A
  • Power - Max: 625W
  • Switching Energy: -
  • Input Type: Standard
  • Gate Charge: 335nC
  • Td (on/off) @ 25°C: -
  • Test Condition: -
  • Reverse Recovery Time (trr): 1.9µs
  • Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Mounting Type: Through Hole
  • Package / Case: TO-247-3
  • Supplier Device Package: PLUS247™-3
  • detail: IGBT 3000V 130A 625W Through Hole PLUS247™-3

محصولات مشابه