IXTY4N60P دیتاشیت

IXT(A,P,U,Y)4N60P

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت IXT(A,P,U,Y)4N60P
حجم فایل 858.451 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 6

دانلود دیتاشیت IXT(A,P,U,Y)4N60P

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Manufacturer: IXYS
  • Series: PolarHV™
  • Packaging: Tube
  • Part Status: Obsolete
  • FET Type: N-Channel
  • Technology: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 600V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2A, 10V
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 100µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 635pF @ 25V
  • FET Feature: -
  • Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
  • Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Mounting Type: Surface Mount
  • Supplier Device Package: TO-252
  • Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • detail: N-Channel 600V 4A (Tc) 89W (Tc) Surface Mount TO-252

محصولات مشابه