IXBF50N360 دیتاشیت

IXBF50N360

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت IXBF50N360
حجم فایل 214.95 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 7

مشاهده دیتاشیت IXBF50N360

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Manufacturer: IXYS
  • Series: BIMOSFET™
  • Packaging: Tube
  • Part Status: Not For New Designs
  • IGBT Type: -
  • Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3600V
  • Current - Collector (Ic) (Max): 70A
  • Current - Collector Pulsed (Icm): 420A
  • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 50A
  • Power - Max: 290W
  • Switching Energy: -
  • Input Type: Standard
  • Gate Charge: 210nC
  • Td (on/off) @ 25°C: 46ns/205ns
  • Test Condition: 960V, 50A, 5Ohm, 15V
  • Reverse Recovery Time (trr): 1.7µs
  • Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Mounting Type: Through Hole
  • Package / Case: i4-Pac™-5 (3 Leads)
  • Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
  • detail: IGBT 3600V 70A 290W Through Hole ISOPLUS i4-PAC™

محصولات مشابه