IXUC200N055 دیتاشیت

IXUC200N055

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت IXUC200N055
حجم فایل 479.746 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 2

مشاهده دیتاشیت IXUC200N055

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Manufacturer: IXYS
  • Series: -
  • Packaging: Tube
  • Part Status: Obsolete
  • FET Type: N-Channel
  • Technology: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 100A, 10V
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • FET Feature: -
  • Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
  • Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Mounting Type: Through Hole
  • Supplier Device Package: ISOPLUS220™
  • Package / Case: ISOPLUS220™
  • detail: N-Channel 55V 200A (Tc) 300W (Tc) Through Hole ISOPLUS220™

محصولات مشابه