STP165N10F4 دیتاشیت

STP165N10F4

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت STP165N10F4
حجم فایل 691.01 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 12

مشاهده دیتاشیت STP165N10F4

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Manufacturer: STMicroelectronics
  • Series: DeepGATE™, STripFET™
  • Packaging: Tube
  • Part Status: Active
  • FET Type: N-Channel
  • Technology: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 60A, 10V
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500pF @ 25V
  • FET Feature: -
  • Power Dissipation (Max): 315W (Tc)
  • Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Mounting Type: Through Hole
  • Supplier Device Package: TO-220AB
  • Package / Case: TO-220-3
  • Base Part Number: STP165
  • detail: N-Channel 100V 120A (Tc) 315W (Tc) Through Hole TO-220AB

محصولات مشابه