STW65N65DM2AG دیتاشیت

STW65N65DM2AG

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت STW65N65DM2AG
حجم فایل 399.076 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 12

مشاهده دیتاشیت STW65N65DM2AG

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Manufacturer: STMicroelectronics
  • Series: Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ DM2
  • Packaging: Tube
  • Part Status: Active
  • FET Type: N-Channel
  • Technology: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 650V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 30A, 10V
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±25V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500pF @ 100V
  • FET Feature: -
  • Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
  • Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Mounting Type: Through Hole
  • Supplier Device Package: TO-247
  • Package / Case: TO-247-3
  • Base Part Number: STW65N
  • detail: N-Channel 650V 60A (Tc) 446W (Tc) Through Hole TO-247

محصولات مشابه