- صفحه اصلی
- دانلود دیتاشیت
- دیتاشیت SCT10N120
SCT10N120 دیتاشیت
مشخصات دیتاشیت
| نام دیتاشیت | SCT10N120 |
|---|---|
| حجم فایل | 237.832 کیلوبایت |
| نوع فایل | |
| تعداد صفحات | 13 |
دانلود دیتاشیت SCT10N120 |
دانلود دیتاشیت |
|---|
سایر مستندات
Fine Tune SIC MOSFET Gate Driver 17 pages
مشخصات فنی
- Manufacturer: STMicroelectronics
- Series: -
- Packaging: Tube
- Part Status: Active
- FET Type: N-Channel
- Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
- Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 690mOhm @ 6A, 20V
- Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 20V
- Vgs (Max): +25V, -10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 400V
- FET Feature: -
- Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
- Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
- Mounting Type: Through Hole
- Supplier Device Package: HiP247™
- Package / Case: TO-247-3
- Base Part Number: SCT10
- detail: N-Channel 1200V 12A (Tc) 150W (Tc) Through Hole HiP247™