STW58N60DM2AG دیتاشیت

STW58N60DM2AG

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت STW58N60DM2AG
حجم فایل 740.108 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 12

مشاهده دیتاشیت STW58N60DM2AG

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Manufacturer: STMicroelectronics
  • Series: Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ DM2
  • Packaging: Tube
  • Part Status: Active
  • FET Type: N-Channel
  • Technology: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 600V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 25A, 10V
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±25V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100pF @ 100V
  • FET Feature: -
  • Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
  • Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Mounting Type: Through Hole
  • Supplier Device Package: TO-247
  • Package / Case: TO-247-3
  • Base Part Number: STW58N
  • detail: N-Channel 600V 50A (Tc) 360W (Tc) Through Hole TO-247

محصولات مشابه