2ST501T دیتاشیت

2ST501T

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت 2ST501T
حجم فایل 152.11 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 6

مشاهده دیتاشیت 2ST501T

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Manufacturer: STMicroelectronics
  • Series: -
  • Packaging: Tube
  • Part Status: Active
  • Transistor Type: NPN - Darlington
  • Current - Collector (Ic) (Max): 4A
  • Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350V
  • Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 2mA, 2A
  • Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
  • DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 2V
  • Power - Max: 100W
  • Frequency - Transition: -
  • Operating Temperature: 150°C (TJ)
  • Mounting Type: Through Hole
  • Package / Case: TO-220-3
  • Supplier Device Package: TO-220AB
  • Base Part Number: 2ST50
  • detail: Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 350V 4A 100W Through Hole TO-220AB

محصولات مشابه