STD12N60DM2AG دیتاشیت

STD12N60DM2AG

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت STD12N60DM2AG
حجم فایل 54.058 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 15

مشاهده دیتاشیت STD12N60DM2AG

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: STMicroelectronics STD12N60DM2AG
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 110W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 14.5nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 600V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 614pF@100V
  • Continuous Drain Current (Id): 10A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 5V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 3.7pF@100V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 380mΩ@10V,5A
  • Package: TO-252
  • Manufacturer: STMicroelectronics
  • Series: *
  • Packaging: Cut Tape (CT)
  • Part Status: Active
  • Mounting Type: Surface Mount
  • Supplier Device Package: D-PAK (TO-252)
  • Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Base Part Number: STD12
  • detail: Surface Mount D-PAK (TO-252)

محصولات مشابه