STY112N65M5 دیتاشیت

STY112N65M5

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت STY112N65M5
حجم فایل 871.681 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 12

دانلود دیتاشیت STY112N65M5

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Manufacturer: STMicroelectronics
  • Series: MDmesh™ V
  • Packaging: Tube
  • Part Status: Active
  • FET Type: N-Channel
  • Technology: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 650V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 47A, 10V
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 350nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±25V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16870pF @ 100V
  • FET Feature: -
  • Power Dissipation (Max): 625W (Tc)
  • Operating Temperature: 150°C (TJ)
  • Mounting Type: Through Hole
  • Supplier Device Package: MAX247™
  • Package / Case: TO-247-3
  • Base Part Number: STY112
  • detail: N-Channel 650V 96A (Tc) 625W (Tc) Through Hole MAX247™

محصولات مشابه