CSD16409Q3 دیتاشیت

CSD16409Q3

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت CSD16409Q3
حجم فایل 230.889 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 10

مشاهده دیتاشیت CSD16409Q3

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 17A, 10V
  • Vgs (Max): +16V, -12V
  • FET Type: N-Channel
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Technology: MOSFET (Metal Oxide)
  • Manufacturer: Texas Instruments
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 60A (Tc)
  • FET Feature: -
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800pF @ 12.5V
  • Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Packaging: Cut Tape (CT)
  • Package / Case: 8-PowerTDFN
  • Part Status: Active
  • Series: NexFET™
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6nC @ 4.5V
  • Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
  • Mounting Type: Surface Mount
  • Base Part Number: CSD164
  • detail: N-Channel 25V 15A (Ta), 60A (Tc) 2.6W (Ta) Surface Mount 8-VSONP (5x6)

محصولات مشابه