CSD17313Q2Q1 دیتاشیت

CSD17313Q2Q1

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت CSD17313Q2Q1
حجم فایل 444.213 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 13

مشاهده دیتاشیت CSD17313Q2Q1

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 8V
  • Vgs (Max): +10V, -8V
  • FET Type: N-Channel
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
  • Technology: MOSFET (Metal Oxide)
  • Manufacturer: Texas Instruments
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
  • FET Feature: -
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340pF @ 15V
  • Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Packaging: Cut Tape (CT)
  • Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
  • Part Status: Not For New Designs
  • Series: Automotive, AEC-Q100, NexFET™
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7nC @ 4.5V
  • Supplier Device Package: 6-WSON (2x2)
  • Mounting Type: Surface Mount
  • Base Part Number: CSD173
  • detail: N-Channel 30V 5A (Tc) 2.3W (Ta) Surface Mount 6-WSON (2x2)

محصولات مشابه