STU9HN65M2 دیتاشیت

STU9HN65M2

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت STU9HN65M2
حجم فایل 739.474 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 12

مشاهده دیتاشیت STU9HN65M2

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Manufacturer: STMicroelectronics
  • Series: MDmesh™ M2
  • Packaging: Tube
  • Part Status: Active
  • FET Type: N-Channel
  • Technology: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 650V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 820mOhm @ 2.5A, 10V
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±25V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325pF @ 100V
  • FET Feature: -
  • Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
  • Operating Temperature: 150°C (TJ)
  • Mounting Type: Through Hole
  • Supplier Device Package: I-PAK
  • Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
  • Base Part Number: STU9H
  • detail: N-Channel 650V 5.5A (Tc) 60W (Tc) Through Hole I-PAK

محصولات مشابه