ST(P,U)16N60M2 دیتاشیت

ST(P,U)16N60M2

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت ST(P,U)16N60M2
حجم فایل 450.165 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 16

مشاهده دیتاشیت ST(P,U)16N60M2

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

STU16N60M2 16 pages

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: 1 N-channel
  • Category: Transistors/Thyristors/MOSFETs
  • Datasheet: STMicroelectronics STU16N60M2
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C
  • Power Dissipation (Pd): 110W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 19nC@480V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 600V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 700pF@100V
  • Continuous Drain Current (Id): 12A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 1.2pF@100V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 0.32Ω@10V,6A
  • Package: TO-251(IPAK)