STB34N50DM2AG دیتاشیت

STB34N50DM2AG

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت STB34N50DM2AG
حجم فایل 935.942 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 15

مشاهده دیتاشیت STB34N50DM2AG

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Manufacturer: STMicroelectronics
  • Series: Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ DM2
  • Packaging: Cut Tape (CT)
  • Part Status: Active
  • FET Type: N-Channel
  • Technology: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 500V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 12.5A, 10V
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±25V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850pF @ 100V
  • FET Feature: -
  • Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
  • Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Mounting Type: Surface Mount
  • Supplier Device Package: D2PAK
  • Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Base Part Number: STB34N
  • detail: N-Channel 500V 26A (Tc) 190W (Tc) Surface Mount D2PAK

محصولات مشابه