STB180N55F3 دیتاشیت

ST(B,P)180N55F3

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت ST(B,P)180N55F3
حجم فایل 457.722 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 14

مشاهده دیتاشیت ST(B,P)180N55F3

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Manufacturer: STMicroelectronics
  • Series: STripFET™
  • Packaging: Cut Tape (CT)
  • Part Status: Obsolete
  • FET Type: N-Channel
  • Technology: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 60A, 10V
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800pF @ 25V
  • FET Feature: -
  • Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
  • Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Mounting Type: Surface Mount
  • Supplier Device Package: D2PAK
  • Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Base Part Number: STB180N
  • detail: N-Channel 55V 120A (Tc) 330W (Tc) Surface Mount D2PAK

محصولات مشابه