STI34N65M5 دیتاشیت

STB,I,P,W34N65M5

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت STB,I,P,W34N65M5
حجم فایل 1459.178 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 22

مشاهده دیتاشیت STB,I,P,W34N65M5-Isee

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Manufacturer: STMicroelectronics
  • Series: MDmesh™ V
  • Packaging: Tube
  • Part Status: Obsolete
  • FET Type: N-Channel
  • Technology: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 650V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 14A, 10V
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62.5nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±25V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700pF @ 100V
  • FET Feature: -
  • Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
  • Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Mounting Type: Through Hole
  • Supplier Device Package: I2PAKFP (TO-281)
  • Package / Case: TO-262-3 Full Pack, I²Pak
  • Base Part Number: STI34N
  • detail: N-Channel 650V 28A (Tc) 190W (Tc) Through Hole I2PAKFP (TO-281)

محصولات مشابه