STI34N65M5 دیتاشیت

STB,I,P,W34N65M5

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت STB,I,P,W34N65M5
حجم فایل 1459.178 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 22

مشاهده دیتاشیت STB,I,P,W34N65M5

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Manufacturer: STMicroelectronics
  • Series: MDmesh™ V
  • Packaging: Tube
  • Part Status: Obsolete
  • FET Type: N-Channel
  • Technology: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 650V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 14A, 10V
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62.5nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±25V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700pF @ 100V
  • FET Feature: -
  • Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
  • Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Mounting Type: Through Hole
  • Supplier Device Package: I2PAKFP (TO-281)
  • Package / Case: TO-262-3 Full Pack, I²Pak
  • Base Part Number: STI34N
  • detail: N-Channel 650V 28A (Tc) 190W (Tc) Through Hole I2PAKFP (TO-281)

محصولات مشابه