STB35N65M5 دیتاشیت

STx35N65M5

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت STx35N65M5
حجم فایل 1303.764 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 22

دانلود دیتاشیت STx35N65M5

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Manufacturer: STMicroelectronics
  • Series: MDmesh™ V
  • Packaging: Cut Tape (CT)
  • Part Status: Active
  • FET Type: N-Channel
  • Technology: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 650V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 13.5A, 10V
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±25V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750pF @ 100V
  • FET Feature: -
  • Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
  • Operating Temperature: 150°C (TJ)
  • Mounting Type: Surface Mount
  • Supplier Device Package: D2PAK
  • Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Base Part Number: STB35N
  • detail: N-Channel 650V 27A (Tc) 160W (Tc) Surface Mount D2PAK