STL19N65M5 دیتاشیت

STL19N65M5

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت STL19N65M5
حجم فایل 1197.36 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 17

مشاهده دیتاشیت STL19N65M5

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Manufacturer: STMicroelectronics
  • Series: MDmesh™ V
  • Packaging: Cut Tape (CT)
  • Part Status: Active
  • FET Type: N-Channel
  • Technology: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 650V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta), 12.5A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 7.5A, 10V
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±25V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1240pF @ 100V
  • FET Feature: -
  • Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 90W (Tc)
  • Operating Temperature: 150°C (TJ)
  • Mounting Type: Surface Mount
  • Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
  • Package / Case: 8-PowerVDFN
  • Base Part Number: STL19
  • detail: N-Channel 650V 2.3A (Ta), 12.5A (Tc) 2.8W (Ta), 90W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (8x8) HV

محصولات مشابه