STY100NM60N دیتاشیت

STY100NM60N

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت STY100NM60N
حجم فایل 829.687 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 13

مشاهده دیتاشیت STY100NM60N

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Manufacturer: STMicroelectronics
  • Series: MDmesh™ II
  • Packaging: Tube
  • Part Status: Active
  • FET Type: N-Channel
  • Technology: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 600V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 98A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 49A, 10V
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330nC @ 10V
  • Vgs (Max): 25V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600pF @ 50V
  • FET Feature: -
  • Power Dissipation (Max): 625W (Tc)
  • Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Mounting Type: Through Hole
  • Supplier Device Package: MAX247™
  • Package / Case: TO-247-3
  • Base Part Number: STY100
  • detail: N-Channel 600V 98A (Tc) 625W (Tc) Through Hole MAX247™

محصولات مشابه