STP11N60DM2 دیتاشیت

STP11N60DM2 Datasheet

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت STP11N60DM2 Datasheet
حجم فایل 465.547 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 13

مشاهده دیتاشیت STP11N60DM2 Datasheet

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Manufacturer: STMicroelectronics
  • Series: MDmesh™ DM2
  • Packaging: Tube
  • Part Status: Active
  • FET Type: N-Channel
  • Technology: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 600V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 5A, 10V
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±25V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 614pF @ 100V
  • FET Feature: -
  • Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
  • Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Mounting Type: Through Hole
  • Supplier Device Package: TO-220
  • Package / Case: TO-220-3
  • Base Part Number: STP11N
  • detail: N-Channel 600V 10A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-220

محصولات مشابه