STP16N50M2 دیتاشیت

STP16N50M2

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت STP16N50M2
حجم فایل 981.224 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 21

مشاهده دیتاشیت STP16N50M2

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مشخصات فنی

  • Manufacturer: STMicroelectronics
  • Series: MDmesh™ M2
  • Packaging: Tube
  • Part Status: Active
  • FET Type: N-Channel
  • Technology: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 500V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.5A, 10V
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±25V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710pF @ 100V
  • FET Feature: -
  • Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
  • Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Mounting Type: Through Hole
  • Supplier Device Package: TO-220
  • Package / Case: TO-220-3
  • Base Part Number: STP16N
  • detail: N-Channel 500V 13A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-220

محصولات مشابه