STP9N60M2 دیتاشیت

ST(D,P,U)9N60M2

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت ST(D,P,U)9N60M2
حجم فایل 823 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 27

مشاهده دیتاشیت ST(D,P,U)9N60M2

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Manufacturer: STMicroelectronics
  • Series: MDmesh™ II Plus
  • Packaging: Tube
  • Part Status: Active
  • FET Type: N-Channel
  • Technology: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 600V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 780mOhm @ 3A, 10V
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±25V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320pF @ 100V
  • FET Feature: -
  • Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
  • Operating Temperature: 150°C (TJ)
  • Mounting Type: Through Hole
  • Supplier Device Package: TO-220
  • Package / Case: TO-220-3
  • Base Part Number: STP9N
  • detail: N-Channel 600V 5.5A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220

محصولات مشابه