STP33N60M6 دیتاشیت

STP33N60M6

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت STP33N60M6
حجم فایل 258.503 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 13

دانلود دیتاشیت STP33N60M6

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Manufacturer: STMicroelectronics
  • Series: MDmesh™ M6
  • Packaging: Tube
  • Part Status: Active
  • FET Type: N-Channel
  • Technology: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 600V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12.5A, 10V
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.4nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±25V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1515pF @ 100V
  • FET Feature: -
  • Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
  • Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Mounting Type: Through Hole
  • Supplier Device Package: TO-220
  • Package / Case: TO-220-3
  • Base Part Number: STP33N
  • detail: N-Channel 600V 25A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-220

محصولات مشابه