STU6N65M2 دیتاشیت

ST(F,P,U)6N65M2

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت ST(F,P,U)6N65M2
حجم فایل 749.586 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 18

دانلود دیتاشیت ST(F,P,U)6N65M2

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Manufacturer: STMicroelectronics
  • Series: MDmesh™
  • Packaging: Tube
  • Part Status: Active
  • FET Type: N-Channel
  • Technology: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 650V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 2A, 10V
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±25V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 226pF @ 100V
  • FET Feature: -
  • Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
  • Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Mounting Type: Through Hole
  • Supplier Device Package: IPAK (TO-251)
  • Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
  • Base Part Number: STU6N
  • detail: N-Channel 650V 4A (Tc) 60W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251)

محصولات مشابه