STB4N62K3 دیتاشیت

ST(B,D)4N62K3

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت ST(B,D)4N62K3
حجم فایل 1271.251 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 22

مشاهده دیتاشیت ST(B,D)4N62K3-Isee

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Manufacturer: STMicroelectronics
  • Series: SuperMESH3™
  • Packaging: Cut Tape (CT)
  • Part Status: Obsolete
  • FET Type: N-Channel
  • Technology: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 620V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95Ohm @ 1.9A, 10V
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450pF @ 50V
  • FET Feature: -
  • Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
  • Operating Temperature: 150°C (TJ)
  • Mounting Type: Surface Mount
  • Supplier Device Package: D2PAK
  • Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Base Part Number: STB4N
  • detail: N-Channel 620V 3.8A (Tc) 70W (Tc) Surface Mount D2PAK

محصولات مشابه