STB4N62K3 دیتاشیت

ST(B,D)4N62K3

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت ST(B,D)4N62K3
حجم فایل 1271.251 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 22

مشاهده دیتاشیت ST(B,D)4N62K3

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Manufacturer: STMicroelectronics
  • Series: SuperMESH3™
  • Packaging: Cut Tape (CT)
  • Part Status: Obsolete
  • FET Type: N-Channel
  • Technology: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 620V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95Ohm @ 1.9A, 10V
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450pF @ 50V
  • FET Feature: -
  • Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
  • Operating Temperature: 150°C (TJ)
  • Mounting Type: Surface Mount
  • Supplier Device Package: D2PAK
  • Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Base Part Number: STB4N
  • detail: N-Channel 620V 3.8A (Tc) 70W (Tc) Surface Mount D2PAK

محصولات مشابه