STF9HN65M2 دیتاشیت

STF9HN65M2

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت STF9HN65M2
حجم فایل 752.523 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 13

مشاهده دیتاشیت STF9HN65M2

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Manufacturer: STMicroelectronics
  • Series: MDmesh™ M2
  • Packaging: Tube
  • Part Status: Active
  • FET Type: N-Channel
  • Technology: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 650V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 820mOhm @ 2.5A, 10V
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±25V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325pF @ 100V
  • FET Feature: -
  • Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
  • Operating Temperature: 150°C (TJ)
  • Mounting Type: Through Hole
  • Supplier Device Package: TO-220FP
  • Package / Case: TO-220-3 Full Pack
  • Base Part Number: STF9
  • detail: N-Channel 650V 5.5A (Tc) 20W (Tc) Through Hole TO-220FP

محصولات مشابه