STB6N65M2 دیتاشیت

STB6N65M2, STD6N65M2

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت STB6N65M2, STD6N65M2
حجم فایل 849.558 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 22

مشاهده دیتاشیت STB6N65M2, STD6N65M2

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Manufacturer: STMicroelectronics
  • Series: MDmesh™
  • Packaging: Cut Tape (CT)
  • Part Status: Active
  • FET Type: N-Channel
  • Technology: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 650V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 2A, 10V
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±25V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 226pF @ 100V
  • FET Feature: -
  • Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
  • Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Mounting Type: Surface Mount
  • Supplier Device Package: D2PAK
  • Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Base Part Number: STB6N
  • detail: N-Channel 650V 4A (Tc) 60W (Tc) Surface Mount D2PAK

محصولات مشابه