STB8N65M5 دیتاشیت

STB8N65M5

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت STB8N65M5
حجم فایل 1335.438 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 25

مشاهده دیتاشیت STB8N65M5

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

STx8N65M5 26 pages

مشخصات فنی

  • Manufacturer: STMicroelectronics
  • Series: MDmesh™ V
  • Packaging: Cut Tape (CT)
  • Part Status: Active
  • FET Type: N-Channel
  • Technology: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 650V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±25V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690pF @ 100V
  • FET Feature: -
  • Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
  • Operating Temperature: 150°C (TJ)
  • Mounting Type: Surface Mount
  • Supplier Device Package: D2PAK
  • Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Base Part Number: STB8N
  • detail: N-Channel 650V 7A (Tc) 70W (Tc) Surface Mount D2PAK

محصولات مشابه