STB18N60DM2 دیتاشیت

STB18N60DM2

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت STB18N60DM2
حجم فایل 431.208 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 15

مشاهده دیتاشیت STB18N60DM2

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Manufacturer: STMicroelectronics
  • Series: MDmesh™ DM2
  • Packaging: Cut Tape (CT)
  • Part Status: Active
  • FET Type: N-Channel
  • Technology: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 600V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 6A, 10V
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±25V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800pF @ 100V
  • FET Feature: -
  • Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
  • Operating Temperature: 150°C (TJ)
  • Mounting Type: Surface Mount
  • Supplier Device Package: D2PAK
  • Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Base Part Number: STB18N
  • detail: N-Channel 600V 12A (Tc) 90W (Tc) Surface Mount D2PAK

محصولات مشابه