STGB30M65DF2 دیتاشیت

STGB30M65DF2

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت STGB30M65DF2
حجم فایل 897.163 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 18

مشاهده دیتاشیت STGB30M65DF2

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Manufacturer: STMicroelectronics
  • Series: -
  • Packaging: Cut Tape (CT)
  • Part Status: Active
  • IGBT Type: Trench Field Stop
  • Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650V
  • Current - Collector (Ic) (Max): 60A
  • Current - Collector Pulsed (Icm): 120A
  • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A
  • Power - Max: 258W
  • Switching Energy: 300µJ (on), 960µJ (off)
  • Input Type: Standard
  • Gate Charge: 80nC
  • Td (on/off) @ 25°C: 31.6ns/115ns
  • Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
  • Reverse Recovery Time (trr): 140ns
  • Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Mounting Type: Surface Mount
  • Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Supplier Device Package: D2PAK
  • Base Part Number: STGB30
  • detail: IGBT Trench Field Stop 650V 60A 258W Surface Mount D2PAK

محصولات مشابه