STB18N60M6 دیتاشیت

STB18N60M6

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت STB18N60M6
حجم فایل 642.127 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 16

مشاهده دیتاشیت STB18N60M6

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Manufacturer: STMicroelectronics
  • Series: MDmesh™ M6
  • Packaging: Cut Tape (CT)
  • Part Status: Active
  • FET Type: N-Channel
  • Technology: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 600V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.5A, 10V
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.8nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±25V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 100V
  • FET Feature: -
  • Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
  • Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Mounting Type: Surface Mount
  • Supplier Device Package: D2PAK
  • Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • detail: N-Channel 600V 13A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount D2PAK

محصولات مشابه