SCTH90N65G2V-7 دیتاشیت

SCTH90N65G2V-7

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت SCTH90N65G2V-7
حجم فایل 626.841 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 14

مشاهده دیتاشیت SCTH90N65G2V-7

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Manufacturer: STMicroelectronics
  • Series: -
  • Packaging: Cut Tape (CT)
  • Part Status: Active
  • FET Type: N-Channel
  • Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 650V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 50A, 18V
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 157nC @ 18V
  • Vgs (Max): +22V, -10V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300pF @ 400V
  • FET Feature: -
  • Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
  • Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Mounting Type: Surface Mount
  • Supplier Device Package: H2PAK-7
  • Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
  • Base Part Number: SCTH90
  • detail: N-Channel 650V 90A (Tc) 330W (Tc) Surface Mount H2PAK-7

محصولات مشابه