STB26N60M2 دیتاشیت

STB26N60M2 Datasheet

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت STB26N60M2 Datasheet
حجم فایل 908.947 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 15

مشاهده دیتاشیت STB26N60M2 Datasheet

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Manufacturer: STMicroelectronics
  • Series: MDmesh™ M2
  • Packaging: Cut Tape (CT)
  • Part Status: Active
  • FET Type: N-Channel
  • Technology: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 600V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 10A, 10V
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±25V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360pF @ 100V
  • FET Feature: -
  • Power Dissipation (Max): 169W (Tc)
  • Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Mounting Type: Surface Mount
  • Supplier Device Package: D2PAK
  • Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Base Part Number: STB26N
  • detail: N-Channel 600V 20A (Tc) 169W (Tc) Surface Mount D2PAK

محصولات مشابه